【芯片產業】中科院5nm光刻技術突破西方壟斷？ 實情是這樣

中國以舉國之力投入芯片（晶片）研製，但作為生產高端芯片的必要設備，最先進的光刻機仍由西方壟斷。中國科學院早前發表論文，介紹最新研發的一種「5納米超高精度激光光刻加工方法」，燃起國內芯片業起飛的希望。但事實證明仍空歡喜一場，負責撰寫的中科院學者近日開腔，形容是外界誤讀。

該篇論文7月發表，隨後在國際知名期刊《納米通訊》（Nano Letters）刊登。中科院當時發新聞稿稱：「研究團隊針對激光微納加工中所面臨的實際問題出發，解決高效和高精度之間的固有矛盾，開發的新型微納加工技術在集成電路、光子晶片、微機電系統等眾多微納加工領域展現廣闊的應用前景」。

消息受到內地媒體廣泛關注，部分報道更形容該技術將助中國完全擺脫西方的限制，「突破荷蘭光刻機生產企業阿斯麥（ASML）的壟斷」、「中國芯取得重大進展」，「中國不需要極紫外光刻技術（EUV）光刻機就能製作出5納米制程的晶片」。但不久後，中科院就將新聞稿從官網刪除。

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論文作者：外界誤讀

論文通訊作者、中科院研究員劉前解釋，這是一個誤讀，新技術與極紫外光刻技術是兩回事。集成電路線寬是指由特定工藝決定的所能光刻的最小尺寸，常說的28納米、40納米這類尺寸主要由光源波長和數值孔徑決定，掩模上電路版圖的大小也有影響。目前主流28納米、40納米、65納米線寬製程採用的都是浸潤式微影技術（波長為134納米）。但到了5納米這樣的先進製程，由於波長限制，浸潤式微影技術無法滿足更精細的製程需要。

劉前進一步指，極紫外光刻技術解決的主要是光源波長的問題，其以波長為10納米至14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。至於中科院研發的5納米超高精度激光光刻加工方法，主要用途是製作光掩模，這是集成電路光刻製造中不可缺少的一個部分，也是限制最小集成電路線寬的瓶頸之一。

如果5納米超高精度激光光刻加工技術能夠用於高精度掩模版的製造，也有望提高中國掩模版的製造水平，對現有光刻機的晶片的線寬縮小也是十分有益的。但即使這技術能實現商用化，要突破荷蘭ASML在光刻機上的壟斷，還有很多核心技術需要突破，例如鏡頭的數值孔徑、光源的波長等。

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責任編輯：陳建錫