台日聯手拓2納米以下芯片 這些品牌或率先用?
中美科技戰白熱化之際,全球芯片(又稱晶片)技術競賽亦高燒。日本媒體報道,台灣半導體研究中心(TSRI)與日本產業技術總合研究所(AIST)合作,開發最新型電晶體結構。這有助製造2納米以下線寬的新一代先進半導體,如研發過程順利,這種新型芯片可在2024年後應用。
(新增第9段台積電部署)
台灣半導體研究中心在去年12月下旬公布,於IEEE國際電子元件會議IEDM(International Electron Devices Meeting)線上會議中,與日本產業技術總合研究所共同開發低溫芯片鍵合技術;相關技術可將不同通道材料的基板,直接鍵合成一個基板,並應用在互補式電晶體元件上。
這項技術可有效減少元件的面積,提供下世代半導體在多層鍵合與異質整合的研究可行性參考。
日本經濟新聞:或2024年後應用
日本經濟新聞中文網周一(8日)報道,這項共同研究計劃從2018年啟動,日本和台灣研究機構各自發揮擁有的技術;日本產業技術總合研究所利用此前累積的材料開發知識、和堆疊異種材料的技術,台灣半導體研究中心在異質材料堆疊電晶體的設計和試製技術上提供協助。
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相關技術是將矽(Si)和鍺(Ge)等不同通道材料從上下方堆疊,形成名為CFET的結構,為一種嶄新技術。
報道指出,與之前電晶體相比,CFET結構的電晶體性能高、面積小,有助製造2納米以下線寬的新一代半導體;此次開發的新型電晶體,預計應用在2024年以後的先進半導體。
日本產業技術總合研究所表示,相關技術在世界上是首次,規劃未來3年內向民間企業轉讓技術,實現商用化。
晶圓代工龍頭台積電也積極布局先進半導體製程,董事長劉德音日前指出,台積電3納米製程依計劃推進,甚至比預期還超前一些。台積電原定3納米今年試產,預計2022年下半年量產;台積電規劃3納米採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構,2納米之後轉向環繞閘極(GAA)架構。
台積電日前也公告赴日本投資定案,將在日本投資設立100%持股子公司,實收資本額不超過186億日圓,約1.86億美元,擴展三維晶片(3DIC)材料研究,預計今年完成。
值得注意是,過去數月間,台積電也曾傳出研製2納米芯片的時間表、估計在大約2024年量產。台灣經濟研究院研究員暨產業顧問劉佩真稍早前曾表示,台積電如成功量產2納米製程芯片,將更鞏固全球芯片技術第一地位。
台灣產業界人士:蘋果電子產品或首用
而包括蘋果旗下電子產品,以及外資無廠芯片企業諸如︰超微(Advanced Micro Devices)、輝達(Nvidia)、賽靈思(Xilinx)都可能率先採用2納米芯片。
她又謂,台積電在先進製程的推進較穩,預期未來2納米製程的終端應用上,行動通訊及高效能運算兩大類產品,將會率先採用,包括智能型手機、AI、FPGA(場域可編程邏輯閘陣列)的應用等。
責任編輯:鄧國強