力求突破美國圍堵 華為申請技術專利製5納米芯片

據彭博報道，華為攜手芯片生產夥伴為一種技術含量低但能有效製造先進半導體的方法申請了專利，此舉提高了華為突破美國圍堵改進芯片生產技術的可能性。

報道指，根據兩家公司向中國知識產權當局提交的文件，專利涉及自對准四重圖形技術(self-aligned quadruple patterning SAQP)，有助減少對高端光刻機的依賴，可能幫助華為與合作夥伴在沒有ASML最先進極紫外(EUV)光刻設備的情況下，生產出高端芯片。總部位於荷蘭的ASML是EUV光刻機唯一生產商，由於出口管制，他們不得向中國出售此類光刻機。

四重圖形技術是一種在矽片上多次蝕刻線路，以提高晶體管密度進而增強性能的技術。周五公布的的華為專利申請，描述使用這項技術製造更複雜半導體的方法。 

與華為合作的國有芯片製造設備開發商新凱來技術有限公司，在2023年底獲得一項關於SAQP的專利，通過採用深紫外光刻(DUV)晶片製造設備和SAQP技術，來達到5納米製程芯片的某些技術標準，此項技術可避免使用EUV設備同時降低製造成本。

報道引述研究公司TechInsights的副董事長Dan Hutcheson表示，四重圖形技術足以讓中國製造5納米芯片，但從長遠來看中國仍需要借助EUV設備，四重圖形技術可以緩解一部分問題，但不能完全克服沒有EUV情況下的技術障礙。

報道指，台積電等使用EUV機生產先進半導體，可以令產出較高，做到單顆芯片的成本最小化。如果華為及合作夥伴使用替代方法生產半導體，單顆芯片的成本可能會高於行業標準。目前投入商業生產的最先進芯片採用3納米製程，中國目前只能生產7納米芯片，比3納米落後兩代，如果生產工藝能推進到5納米製程，相當於僅落後全球領先者一代。

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責任編輯：袁瑋婧